一、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

  报告期内，受全球经济稳步的增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品营销售卖价格和毛利率会降低。同时，公司积极优化产品组合策略，进行工艺平台迭代升级，继续保持基本的产品高压超级结 MOSFET销量的同比上升，但由于产品营销售卖价格的下降，致使公司报告期内营业收入较 2023年同期出现下滑。此外，报告期内，公司进一步保持前瞻性研发投入力度，相应的材料、职工薪酬、研发设备及平台开发等持续投入，亦对公司报告期经营业绩产生一定的影响。未来，如果市场之间的竞争持续加剧、宏观景气度下行、需求持续低迷、新增产能无法消化、国家产业政策变化、公司不能有效拓展国内外新客户、公司无法继续维系与现有客户的合作伙伴关系等情形，将使公司面临一定的经营压力，存在业绩下滑的风险。

  公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、风险因素”部分，敬请投资者注意投资风险。

  五、 公司负责人龚轶、主管会计工作负责人谢长勇及会计机构负责人（会计主管人员）谢长勇声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。

  本报告中所涉及的未来计划、发展的策略等前瞻性陈述不构成公司对投入资产的人的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。

  十一、 是不是真的存在半数以上董事没办法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否

  深圳国中中小企业发展私募股权互助基金合伙企业（有限合伙）， 曾用名“中小企业发展基金（深圳有限合伙）”

  财政部于2006年2月15日颁布的企业会计准则及其应用指南和 其他相关规定，和相关规定、指南的不时之修订

  常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。常见的半导体材 料有硅、碳化硅、氮化镓、砷化镓等。硅是各种半导体材料中， 在商业应用上最具有影响力的一种

  半导体分立器件，与集成电路相对而言的，采取了特殊的半导体制 备工艺，实现特定单一功能的半导体器件，且该功能往往无法在 集成电路中实现或在集成电路中实现难度较大、成本比较高。分立 器件最重要的包含功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT 等

  又称电力电子功率器件，大多数都用在电力设备的电能变换和电路控 制，是进行电能（功率）处理的核心器件，弱电控制和强电运行 间的桥梁。半导体功率器件是半导体分立器件中的主要组成部分

  金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种典型半导体器件结 构，目前已普遍的使用在电力电子电路中，也可以单独作为分立器 件使用以实现特定功能

  MOSFET栅极结构通过沟槽工艺制备，具有高元胞密度、低导通损 耗等特点

  基于电荷平衡技术理论，在传统的功率 MOSFET 中加入 p-n 柱相 互耗尽来提高耐压和降低导通电阻的器件结构，具有工作频率 高、导通损耗小、开关损耗低、芯片体积小等特点

  晶硅场板进行电场调制来提升耐压和降低导通电阻的器件结 构，具有导通电阻低、开关损耗小、频率特性好等特点

  绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的优点， 如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作 频率高等特点

  Tri-gate IGBT，一种公司采用独立知识产权Tri-gate器件结构 的创新型IGBT产品系列

  将分立器件或分立器件和集成电路按一定的电路拓扑封装在一 起，形成整体模块化产品。该类产品集成度高、功率密度高、功 率控制能力强，往往应用于大功率或小体积的电力电子产品

  经过半导体制备工艺加工后的晶圆片半成品，进一步通过封装测 试能形成半导体器件产品。每片8英寸晶圆包含数百颗至数万 颗数量不等的单芯片

  已经封装好的MOSFET、IGBT等产品。晶圆制作完成后，需要封装 才能够正常的使用，封装外壳可以给芯片提供支撑、保护、散热以及电 气连接和隔离等作用，以便使器件与其他电容、电阻等无源器件 和有源器件构成完整的电路系统

  垂直一体化模式，半导体行业中从芯片设计、晶圆制造、封装测 试到销售的垂直整合型公司

  半导体行业中流行的业务形态，指公司“没有制造业务、只专注 于研发设计”的一种运作模式，也用来指未拥有芯片制造工厂的 IC 或功率器件设计公司

  芯片设计企业将设计的具体方案完成后，由芯片代工企业通过采购晶圆 材料、光刻、刻蚀、离子注入等加工工艺制造出芯片

  封装和测试,首先把已制造完成的半导体芯片进行封装，再对元 器件进行结构及电气功能的确认，以保证半导体元件符合系统的 需求，整一个完整的过程被称为封装测试

  碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带 宽度大、热导率高和击穿电场高等性质，非常适合于高压、大功 率半导体功率器件领域

  氮化镓（GaN）是第三代宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带 宽度大、热导率高、电子饱和迁移速率高、直接带隙、击穿电场 高等性质

  功率 MOSFET 开启时漏极和源极间的阻值。导通电阻数值越小， MOSFET工作时的功率损耗越小

  Lighting Emitting Diode，即发光二极管，是一种半导体固体发 光器件，利用固体半导体芯片作为发光材料，在半导体中通过载 流子复合产生光子

  Electro-Magnetic Interference，即电磁干扰，是干扰电缆信号 并降低信号完好性的电子噪音

  为导通或驱动 MOSFET 而注入到栅极电极的电荷量。数值越小， 开关损耗越小，从而可实现高速开关

  器件开始导通时 MOSFET 源-漏极之间或者 IGBT 发射极-集电极 之间的电压差

  用功率 MOSFET 做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的 相位保持同步，以完成整流功能

  对电芯的保护，使电芯工作在安全范围内，锂电保护监测电芯使 用情况，在异常状态阻断电芯充放电，防止电芯继续使用

  把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电 （一般为220V,50Hz正弦波）的转换器，由逆变桥、控制逻辑和 滤波电路组成

  Yole Développement SA，一家法国市场研究与战略咨询公司，专 注于功率半导体与MEMS传感器等领域

  对项目生命周期内的成本和发电量先进行平准化，再计算得到的 发电成本，即生命周期内的成本现值/生命周期内发电量现值，一 般以兆瓦时或千瓦时为单位

  注：本报告中所列出的数据可能因四舍五入原因与根据本报告中所列示的相关单项数据计算得出的结果略有不同。

  1、2024 年上半年，归属于上市公司股东的净利润与归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润分别较上年同期减少83.08%、98.20%，主要系报告期内，受全球经济稳步的增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响，公司产品营销售卖价格和毛利率会降低。同时，公司积极优同比上升，但由于产品营销售卖价格的下降，公司报告期内营业收入较2023年同期出现下滑致使公司纯收入能力有所减弱。

  公司2024年第二季度，实现营业收入为24,642.59万元，环比第一季度增长42.35%；实现归属于上市公司股东的净利润1,264.74万元，环比第一季度增长194.53%。

  2、2024年上半年，经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少420.22%，主要系报告期内, 受全球经济稳步的增长的不确定性以及竞争格局加剧等多重因素的影响,公司营收规模会降低，收到客户的销售回款减少所致。

  3、2024年上半年，基本每股盈利、稀释每股盈利、扣除非经常性损益后的基本每股收益分别较上年同期减少83.02%、83.02%、97.96%，主要系报告期内公司营收规模出现下降，盈利能力有所减弱，利润减少所致。

  计入当期损益的政府补助，但与公司正常经 营业务紧密关联、符合国家政策规定、按照 确定的标准享有、对公司损益产生持续影响 的政府救助除外

  除同公司正常经营业务相关的有效套期保值 业务外，非金融企业持有金融实物资产和金融负 债产生的公允市价变动损益以及处置金融资 产和金融负债产生的损益

  企业取得子公司、联营企业及合资经营企业的投 资成本小于取得投资时应享有被投资单位可 辨认净资产公允市价产生的收益

  对于现金结算的股份支付，在可行权日之 后，应付职员薪酬的公允市价变动产生的损 益

  对公司将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息公开披露解释性公告第 1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因 □适用 √不适用

  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，根据中华人民共和国国家统计局发布的《国民经济行业分类（GB/T 4754-2017）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业”（C39），属于半导体行业中的功率半导体分立器件细分领域。

  在功率半导体发展过程中，20 世纪 50 年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件加快速度进行发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件郑重进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。进入21世纪，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）率半导体发展过程的每个阶段都标志着电力电子技术的重大进步，使得电能的利用更高效、灵活和可靠，而且功率半导体已大范围的应用于电力、交通、通信、工业自动化、新能源等多个领域，因此，功率半导体技术的发展水平必然的联系到一个国家能源利用效率和高端装备制造能力。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET 特别是超级结 MOSFET、IGBT 等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。根据Omida、国信证券研究所数据及预测，全球功率半导体市场规模预计将由2022年的481亿美元增长至2023年的503亿美元，到2027年市场规模将达到596亿美元。应用场景上看，根据WSTS预测，中金公司研究部数据，到2027年分立器件的细分市场规模为402亿美元，其中，WSTS预计集成电路市场有望在2024和2025年看到较强劲的复苏，同比增速分别为+20.8%/+13.7%；光学器件、传感器、分立器件的复苏则比前次预期更慢，2024年营收或同比下滑，但有望在2025-2027年看到持续的温和增长。

  目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国。根据Omdia数据及预测，中国功率半导体市场规模，预计在2024年将达到206亿美元，占全球市场规模约为38%。

  功率半导体器件属于特色工艺产品，不同于集成电路产品依赖尺寸，在制程方面不追求极致的线宽，不遵守摩尔定律。功率半导体器件的性能演进呈现平缓的趋势，目前制程基本稳定在90 nm-0.35μm之间。功率器件发展的关键点最重要的包含技术创新、制造工艺升级、封装技术及基础材料的迭代。

  目前，半导体企业采用的经营模式可大致分为IDM模式和Fabless模式。IDM模式为垂直整合元件制造模式，系早期半导体企业广泛采用的模式，采用该模式的公司能够独立完成芯片设计、晶圆制造、封装和测试等各垂直的生产环节。Fabless 模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。IDM模式具有技术的内部整合优势，有利于积累工艺经验，形成核心竞争力。随着芯片终端产品和应用的日益繁杂，芯片设计难度快速提升，研发所需的资源和成本持续增加，促使全球半导体产业分工细化，Fabless 模式已成为芯片设计企业的主流经营模式之一。另外由于半导体行业的周期性，IDM公司极容易受制于原有固定产能，陷入被动局面。因此，行业整体呈现IDM模式与Fabless模式共存的局面，同时也是功率半导体企业商业模式未来的发展趋势，既能随市场波动及时扩大或减少产能，也可以就近满足区域性市场需求。

  “平台化多样性”是特色工艺企业构筑竞争壁垒、打造竞争优势的核心武器，工艺平台越强大的企业，其在技术经验、服务能力和特殊化开发能力方面越具有深厚的优势。功率半导体行业细分需求多样化，功率半导体企业从主要营业产品系列具体到料号、规格、电压、电流、面积、导通电阻、封装、技术特点及应用领域，可交叉组合形成数千种产品型号。功率半导体产品由于按照每个客户定制要求所产生的细分需求多样化，因而企业想要在行业内获得足够的市场竞争力，对于特色化工艺平台的定制化能力有一定的要求极高。

  功率半导体器件的研发、设计需要企业研发团队综合掌握器件结构、晶圆制造工艺、封装测试等多领域的技术。在功率半导体器件中，超级结MOSFET、高性能IGBT、高性能SGT MOSFET、SiC MOSFET及GaN HEMT的技术门槛较高。上述这些功率器件中，器件的性能一方面能够通过改进核心器件结构的设计来提升，另一方面能够最终靠改进制造工艺或材料来达到目的。作为Fabless设计企业，研发设计人员一方面需持续跟踪掌握国际先进的技术理论、先进工艺方法，另一方面还需不断提出创新的器件结构来实现性能上的大幅提升。

  功率器件不仅要保持在不同电流、电压、频率等应用环境下稳定工作，还需保持在开关损耗、导通损耗、抗冲击能力、耐压、效率等性能上进行平衡，这些性能均需经过大量的仿真设计和流片验证。此外，下游客户不仅对功率半导体的性能和成本提出了差异化的要求，还对产品在各种应用环境下的耐久可靠性提出较高的要求，因此研发设计人员还需掌握不同应用的电路拓扑及可靠性改进方法。因此，企业研发及工程团队需要拥有丰富的技术工艺经验、持续技术创造新兴事物的能力、芯片产业化等能力，才能持续保持市场之间的竞争优势地位。新进入者若缺乏上述的条件，则难以实现持续的业务增长和保持技术上的领先。

  基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力及优秀的客户创新服务能力，公司已成为国内领先的高性能功率半导体厂商之一。

  在超级结MOSFET领域，公司在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术，产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比的水平。

  在中低压屏蔽栅MOSFET领域，公司亦积累了包括优化电荷平衡、自对准加工等核心技术，产品的关键技术指标达到了国内领先水平。

  在IGBT领域，公司的TGBT产品是基于新型的Trident Gate Bipolar Transistor(简称Tri-gate IGBT)器件结构的重大原始创新，基于此基础器件专利，具备了赶超目前国际最为先进的第七代IGBT芯片的技术实力。

  SiC MOSFET 已通过可靠性测试，逐步推向市场。公司发明的 SiC MOSFET 产品克服了传统 SiC MOSFET成本高、Vth飘移、抗电流浪涌能力弱的缺点，实现了高栅氧可靠性，同时还实现了接近SiC MOSFET的优秀的反向恢复能力，已经在市场批量出货，取代了一部分SiC MOSFET的应用。

  公司的功率器件产品包含了具有高技术上的含金量的高压超级结 MOSFET 产品、极具竞争力的中低压屏蔽栅MOSFET、独创结构且产品的关键技术指标达到了与国际领先厂商可比水平的TGBT产品、2

  性能处于国内领先水平的SiC MOSFET产品已经实现量产、公司基于自主知识产权的SiC MOSFET产品在 2024 年持续出货。由于中高端功率器件产品应用广泛且国外厂商仍占据了较大的市场占有率，公司在此领域内拥有广阔的进口替代空间及发展空间。

  公司产品在汽车、工业、消费等应用领域均衡发展，报告期内车规级、工业级领域营业收入占比逾76%。应用领域包括光伏逆变及储能、新能源汽车车载充电机、新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源以及工业照明电源等。由于车规级、工业级应用对功率半导体产品的性能和可靠性要求普遍高于消费级应用，其产品平均单价也较消费级应用的产品平均单价更高。同时，为公司的长远发展和占领更大的市场，公司对产品价格也进行了适当的调整。

  3、报告期内新技术、新产业、新业态、新模式的发展状况和未来发展的新趋势 （1）新技术的发展状况及未来发展趋势

  采用新型器件结构的高性能 MOSFET 功率器件能轻松实现更好的性能，因此导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的根本原因是高性能功率器件的生产的基本工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产的基本工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断的提高，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能 MOSFET 功率器件会逐步扩大其应用场景范围，实现市场的普及。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。

  第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、光伏逆变及储能、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更迫切。得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现，SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。

  除了功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业 领域、新能源汽车仍是功率模块的主要应用领域。而芯片技术的提升可有效提升模块的集成度和 综合性能，减少相关成本，是模块技术提升的主要的因素。 （2）新产业、新业态、新模式的发展状况及未来发展的新趋势 随着应用领域的扩展，新能源汽车、直流充电桩、工业及通信电源、光伏逆变及储能等市场 对于高性能功率器件的需求将持续不断的增加，以及对节能减排和能源效率提升的持续追求，在技术进 步和市场需求的双重推动下，功率半导体行业不断涌现新的产品和解决方案，以满足多种应用场 景的需求。 1）新能源汽车 ①新能源汽车市场规模 中国汽车工业协会（以下简称“中汽协”）的统计多个方面数据显示，2024年上半年，我国汽车产销 分别完成1389.1万辆和1404.7万辆，同比分别增长4.9%和6.1%。其中，新能源汽车产销分别完 成492.9万辆和494.4万辆，同比分别增长30.1%和32%，市场占有率达到35.2%。另外，根据中 汽协统计的数据，截至2024年6月底，国产新能源汽车累计产销已超过3000万辆。 数据来源：中汽协会行业信息部

  新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，高电压成为了新能源汽车行业的发展的新趋势。为实现能量转换及传输，新能源汽车中新增了电机控制管理系统、DC/DC模块、高压辅助驱动、车载充电系统OBC、电源管理IC等部件，其中的功率半导体含量大幅度提升。从半导体种类上看，汽车半导体可大致分为功率半导体（IGBT 和MOSFET等）、MCU、传感器及其他等元器件。随着汽车智能化发展，ADAS、安全、信息娱乐等功能需要MOSFET作为电能转换基础器件支撑数字、模拟等芯片完成功能实现。根据国信证券研究院数据：受益于汽车智能化，2020-2026年MOSFET非动力应用市场将从8.3增至11.1亿美元，其中ADAS在安全管理、域控制管理系统、泊车系统智能化升级的拉动下将从0.3增加至0.9亿美元；受益于汽车电动化，包含轻混动的非燃油车动力总成市场将从1.5增至6亿美元。

  在器件层面，高效的IGBT、SiC或GaN器件，通过先进封装技术改善散热条件、降低寄生参数以提高功率模块可靠性，最终实现在高压、高温、高速的工况下的能量转换效率。在系统层面，随着动力域将机械、电能转换及热管理等耦合部件进行融合，通过智能化可将参数优化程度提升，利用大数据可对动力系统的子系统进行远程标定和模拟测试以达到更高的电力转换效率。在整车层面，可通过数字化将电机驱动、热管理、转向和制动等部件联接，实现能效互补。

  中国电动汽车充电基础设施促进联盟（EVCIPA）发布多个方面数据显示，2024年上半年，充电基础设施增量为164.7万台，新能源汽车国内销量494.4万辆，充电基础设施与新能源汽车继续迅速增加。截至2024年6月底，全国充电基础设施累计数量为1024.3万台，同比增加54.0%，充换电基础设施建设快速推进。充电设施与新能源汽车的增长比例保持在 1:3，表明充电基础设施的建设基本能适应新能源汽车市场的快速发展。

  在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（Power Factor Correction，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等，超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。

  此外，液冷成为解决大功率散热的有效途径，或将成为技术突破主线。相较于传统的风冷充电桩，液冷充电桩的区别主要在于使用了液冷充电模块，并且配备了液冷枪线。液冷充电枪散热性能更好，充电效率更加高，且更轻、更方便；而液冷模块相较于传统的风冷模块散热效果更好、更可靠、防护高、安全性高、噪音低、有更低的全生命周期成本，高压快充趋势下未来液冷充电枪及液冷模块的生产及全液冷充电站的建设或迎来高增，从而带动模块用功率器件高压超级结MOSFET、IGBT以及SiC MOSFET的快速增长。

  随着人工智能、数据挖掘等新技术发展，海量数据产生及对其计算和处理成为数据中心发展关键。随着云计算的持续不断的发展，全世界内云数据中心、超级数据中心的建设速度亦不断加快。

  数据中心服务器对电源效率的要求更加严苛，因而采用了较多创新的电路拓扑，比如，图腾柱PFC电路。一部分传统的高压Si基功率器件技术因为反向恢复速度较慢而逐渐被SiC或者GaN2

  器件所取代，而采用公司发明的SiC MOSFET技术的新型功率器件能轻松实现SiC MOSFET的反向恢复速度及高电路效率，在价格与性能之间找到了更好的平衡点。随着人工智能的发展和数据中心2

  建设如火如荼的展开，公司发明的一系列SiC MOSFET器件、SiC MOSFET器件及超低电阻超级结器件、SGT MOSFET将可以在此类市场中实现销售额的增长。

  根据工业与信息化部发布的2024年上半年通信业经济运作情况多个方面数据显示：截止2024年6月30日，我国5G基站总数达391.7万个，比上年末净增54万个，占移动基站总数的33%。5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。

  综上所述，5G通信基站建设将带来非常大的功率半导体需求，主要驱动力来自于基站密集度和功率要求、Massive MIMO射频天线、雾运算和云计算的需求提升。

  根据国家能源局发布的 2024 年上半年光伏发电建设情况：2024 年上半年，光伏新增装机102.48GW。其中，集中式光伏新增装机 49.6GW；工商业新增装机 37.03GW；户用光伏新增装机15.85GW。截至2024年6月底，光伏累计并网容量712.93GW，其中集中式光伏电站403.42GW；分布式光伏电站309.51GW，包含131.84GW户用光伏。

  光伏系统电压提升是降低平准化度电成本（LCOE）的重要方法，高电压系统线损更低、系统效率更加高，光伏系统电压从 600V 提升到 1000V、1500V 高压系统成为大型光伏项目的发展趋势。

  光伏、储能行业高电压需要，带动上游高压功率器件占比持续提升。根据Yole数据：高压功率器件的市场占有率将持续提升，600V功率器件市占率从2021年的46%提升到2027年的49%，1200V功率器件市占率从2021年的11%提升到2027年的20%，1700V功率器件市占率从2021年的2%提升到2027年的3%。

  2021年，国家发展改革委、国家能源局联合印发的《关于加快推进新型储能发展的指导意见》提出，到2025年，实现新型储能装机规模达到3,000万千瓦以上的目标。根据Mordor Intelligence数据：2024年储能市场规模预计为511.0亿美元，预计到2029年将达到997.2亿美元，在预测期内（2024-2029年）复合年增长率为14.31%。

  公司是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创造新兴事物的能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计企业之一，并在应用于工业级及汽车级领域的高压超级结MOSFET、中低压功率器件等产品领域实现了国产化替代。公司基于自主专利技术开发出的650V、1200V及1350V等电压平台的多种TGBT器件，已批量进入光伏逆变、储能、直流充电桩、电机驱动等应用领域的多个头部客户。公司第一代及第二代1200V SiC MOSFET产品具有低导通电阻、车规级高可靠性等特点，已通过可靠性测试工作并开始获得客户订单。650V/750V/1200V的第三代、第四代SiC MOSFET研发工作进展顺利，其中第二代SiC MOSFET产品已在2024年推出多个产品，性能处于国内领先水平。此外，公司基于自主专2

  利技术开发出的SiC MOSFET器件拥有极好的栅氧可靠性，同时具有优秀的反向恢复时间和反向恢复电荷，能够适用于新能源汽车车载充电机、光伏逆变及储能、高效率通信电源、高效率服务器电源等领域。

  蔽栅MOSFET、TGBT系列IGBT产品以及SiC器件（含SiC MOSFET）。公司的产品大范围的应用于以新能源汽车直流充电桩、车载充电机、5G基站电源及通信电源、数据中心和算力服务器电源、储能和光伏逆变器、UPS电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。

  工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车 载充电机、5G基站电源及通信电源、数 据中心和算力服务器电源、储能和光伏 逆变器、UPS电源以及工业照明电源等 消费级： PC电源、适配器、TV电源板、手机快速 充电器等

  工业级： 电动工具、智能机器人、无人机、新能 源汽车电机控制、逆变器、UPS电源、 动力电池保护板、高密度电源等 消费级: 移动电源、适配器、数码类锂电池保护 板、多口USB充电器、手机快速充电 器、电子雾化器、PC电源、TV电源板等

  工业级：新能源汽车直流充电桩、通信电源、工 业照明电源等 消费级： 各种高密度电源、快速充电器、模块转 换器、快充超薄类PC适配器、TV电源 板等

  工业级：新能源汽车直流充电桩、变频器、逆变 器、电机驱动、电焊机、太阳能、UPS 电源等 消费级： 电磁加热等

  工业级：新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车 载充电机、储能逆变器、高效率通信电 源、高效率服务器电源等

  工业级：新能源汽车车载充电机、储能逆变器、 高效率通信电源、高效率服务器电源等

  公司的高压超级结MOSFET产品主要为GreenMOS产品系列，全部采用超级结的技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点及优势。

  标准通用Generic系列新产品包含550V-950V全系列，具有低 导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广 泛应用于各种开关电源系统的高性能功率转换领域

  S系列产品在Generic系列产品的基础上进一步优化了开关 速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用 于对EMI要求较高的电源系统，如LED照明、充电器、适配 器以及大电流的电源系统中

  E系列产品综合了标准通用系列产品和S系列产品的特性， 实现了开关速度和EMI之间较好的平衡，适用于TV电源、工 业电源等领域，开关速度介于标准通用系列和S系列之间

  Z系列产品中集成了快速反向恢复二极管FRD，具有快速的 反向恢复速度以及极低的开关损耗，特别适用于各种半桥 拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域

  公司的中低压MOSFET产品均采用屏蔽栅结构，主要包括SFGMOS产品系列以及FSMOS产品系列。其中，公司的SFGMOS产品系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，并具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。公司SFGMOS系列中低压功率器件产品涵盖25V-250V工作电压，可大范围的应用于电机驱动、同步整流等领域。

  公司的FSMOS产品系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值以及更高的应用效率与系统兼容性。

  Vth较低，可以用5V栅极 驱动。高开关速度、低开 关损耗、高可靠性和一致 性

  主要应用于驱动电压较低的同步整流类电源 系统，如5V-20V输出快速充电器、大功率LED 显示屏电源、服务器电源、DC-DC模块等领域

  Vth较高，抗干扰能力强 低导通电阻、高开关速 度、低开关损耗、高可靠 性和一致性

  主要应用于驱动电压在10V以上的电源系统 如电源同步整流、电机驱动、锂电保护、逆变 器等领域

  主要应用于对功率密度有更加高的要求的快速充 电器、电机驱动、DC-DC模块、开关电源等领 域