下一代电源使用的制造商有必要榜首先考虑最小化尺度和分量。这种新式SiC整流器模块的紧凑尺度将有利于最大极限地进步功率密度，由此削减所需的电路板空间并下降全体体系本钱。

  经过顶部冷却 (TSC) 和集成负温度系数 (NTC)传感器的组合来优化热功能，该传感器可监控设备温度并为设备或体系级猜测和确诊供给实时反应。该整流器模块可在高达 175°C 的结温下作业，并选用低电感封装，便于高频操作。

  Nexperia表明，此次协作将顶级的碳化硅半导体与最先进的模块封装相结合，使公司可以更好地满意商场对功率密度极高的的需求。该整流器模块的发布将是Nexperia和京瓷AVX想象的长时间碳化硅协作伙伴关系的榜首阶段。

  Nexperia估计新的SiC整流器模块原型将于2024年榜首季度上市。

  的能带距离为硅的2.8倍(宽禁带),到达3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。它与硅半导体资料

  在自然界中以矿藏碳硅石的方式存在，但非常稀疏。不过，自1893 年以来，粉状

  资料的临界雪崩击穿电场强度较高，能制造出超越1000V的反向击穿电压。在3kV以上的

  、高效、高温的特性很合适对功率或温度要求苛刻的使用。可大规模的使用于太阳能逆变器、车载

  肖特基二极管技能相结合，为硬开关拓扑打造了一个统筹质量和性价比的完美计划。该器材将传统

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