E-Mode GaN FET，为保证GaN FET作业的可靠性和高体系功率，芯片内置了的规划难点，为此U8608通过DEM管脚集成了驱动电流分档装备功用。如下图所示，通过装备DEM管脚分压值，能够再一次进行挑选不同档位的驱动电流，从而调理GaN FET的注册速度，体系规划者能够得到最优的EMI功用和体系功率的平衡。详细分压电阻值可参照

  在满载和重载工况下，体系作业在QR作业形式，能够大幅度下降体系的开关损耗。芯片依据FB电压值调理谷底个数，一起为了尽最大或许防止体系在临界负载处的FB电压动摇导致谷底数跳变，发生噪音，开关电源芯片U8608选用了谷底确定作业形式，在负载必定的情况下，导通谷底数安稳，体系无噪音。

  U8608一旦检测到毛病，包括VDD过压维护、过温维护、输入过欠压维护、输出过压维护、反常过流维护等，开关电源芯片U8608立马中止开关动作并进入计时状况，一起VDD电压被高压供电电路钳位到VVDD_REG_ST (典型值 12V)，通过TRECOVERY (典型值 1.3s) 时刻后假如毛病任旧存在，那么体系将持续重复一个计时动作，假如毛病状况消失，体系将重新启动。

  开关电源芯片U8608系列还集成轻载SR应力优化功用，在驱动电流装备为榜首、第二、第四档位时，当芯片作业于轻载形式时，将原边注册速度折半，减小空载时SR的Vds应力过冲。U8608选用峰值电流操控形式，能够自适应的作业在QR和降频作业形式，以此来完成全负载功率范围内的功率优化。

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  及电路图 /

  根底 /

  7575的根底上新增了X放电功用，以及输入欠压维护（BOP）功用，是一款针对离线式反激变换器的高功用电流形式PWM操控器。

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