、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN（氮化镓）电力电子芯片量产研制技能方面获得突破性发展。

  西安电子科技大学广州研讨院李祥东团队与广东致能科技公司联合霸占了≥1200V超薄GaN缓冲层外延、p-GaN栅HEMTs规划与制作、可靠性加固、高硬度资料封测等整套量产技能，成功开宣布阈值电压超越2V、耐压达3000V的6英寸蓝宝石基增强型e-GaNHEMTs晶圆，展现了代替中高压硅IGBT和SiC MOSFET的巨大潜力。 相关研讨内容刊发于新出书的IEEE Electron Device Letters（世界电子技能与信息科学工程师协会主办的《电子器件通讯》）上，并当选封面highlight论文。

  宣布效果论文期刊与研制的GaN（氮化镓）电力电子芯片及性能参数。论文作者供图

  在该项意图研讨中，西安电子科技大学广州研讨院还研制成功了8英寸GaN（氮化镓）电力电子芯片。其相关联的内容宣布在IEEE Transactions on Electron Devices（世界电子技能与信息科学工程师协会主办的《电子器件学报》）上，并被世界闻名半导体职业杂志Semiconductor Today（《今天半导体》）专题报道。 该研讨结果在世界上初次证明了8英寸蓝宝石基GaNHEMTs晶圆量产的可行性，并打破了传统GaN技能难以一起统筹大尺度、高耐压、低成本的世界难题，将有望推进≥1200 V中高压氮化镓电力电子技能完成革新。