大半年以来，我在事务访问中感觉到客户要用国产SiC模块代替现有的进口IGBT模块老旧计划的志愿越来越激烈，特别是国产SiC模块单价现已与同功率运用的进口英飞凌富士IGBT模块价格简直相同的大布景之下！

  上图是某电力电子客户运用根本股份SiC模块代替英飞凌IGBT模块，完成节能增效，大起伏提高整机的产品力！

  国产SiC（碳化硅）功率模块在电力电子范畴敏捷代替进口IGBT（如英飞凌、富士等品牌）的现象，反映了技能迭代、工业晋级和商场需求改变的归纳效果。其终究的原因可从技能优势、本钱优化、方针与供应链安全等维度剖析，一起提醒了客户对功率提高、本钱操控和自主可控的火急需求，并对职业竞赛格式和全球半导体工业发生深远影响。

  - **高频高效特性**：SiC MOSFET的开关频率可达数十至数百kHz，远高于IGBT的十几kHz约束，开关损耗下降70%-80%。例如，在逆变焊机运用中，国产SiC模块的总损耗仅为IGBT的12.9%，功率提高显着。

  - **耐高温度高压力才能**：SiC资料的热导率是硅的3倍，作业时分的温度可达200℃以上，适用于新能源轿车800V渠道和1500V光伏体系等高压场景。

  - **体系级优化**：高频特性答应运用更小的滤波器和散热体系，下降磁性元件本钱。例如，储能变流器选用SiC模块后，电感体积可缩小一半，散热需求下降30%。

  - **资料与制作本钱下降**：国内企业经过6英寸SiC晶圆量产和良率提高，原资料本钱占比从70%逐渐下降。规模化出产（如BASiC根本股份年产能100万只）摊薄了单位本钱，使国产SiC模块价格与进口IGBT模块相等乃至更低。

  - **全生命周期本钱优势**：尽管SiC功率模块初期收购本钱挨近乃至低于IGBT模块，加上其节能收益（如电镀电源功率提高5%-10%）、保护本钱下降（故障率削减）及设备体积缩小带来的装置本钱节约，使回本周期缩短至1-2年。

  - **国产代替需求**：世界局势下，进口IGBT模块面对供货周期不稳定、关税及物流本钱高级问题。国内企业（如BASiC）经过笔直整合（IDM形式）完成从衬底到模块封装的全工业链布局，保证供应链安全。

  - **“双碳”方针与方针支撑**：“十四五”规划将SiC列为要点攻关方向，并经过补助、税收优惠等方针推进研制和工业化。例如，《电子信息制作业2023—2024年稳增加举动计划》清晰支撑第三代半导体开展。

  - IGBT技能挨近硅资料物理极限，新一代芯片改善起伏有限，难以满意新能源范畴对高频、高温、高功率密度的需求。

  - 例如，IGBT在50kHz高频运用中开关损耗占比高达75%，而SiC模块可显着下降总损耗并提高功率至97%以上。

  - 英飞凌富士等世界大品牌长时间独占IGBT模块的中高端商场，但供货周期不稳定且价格动摇大，国产代替成为企业保证出产连续性的要害。

  - 铜价上涨推高电感等磁性元件本钱，SiC模块的高频特性可削减元件体积和用量，下降体系归纳本钱。

  - 国产SiC功率模块厂商（如BASiC根本股份）经过技能打破和产能扩张，加快代替进口IGBT模块。估计未来3-5年，SiC功率模块在新能源轿车主驱逆变器、光伏储能等范畴的浸透率将超70%。

  - 世界企业因竞赛压力退出商场，国内工业链进入出清阶段，头部企业比方BASiC根本股份经过8英寸SiC量产稳固优势。

  - 国产企业不只供给SiC模块，还配套驱动芯片（如BASiC根本股份的BTD25350系列）和参阅规划，下降工程师适配门槛，推进全工业链协同开展。

  - 我国在第三代半导体范畴的技能兴起（如SiC衬底产能占全球比重从2022年的46万片增至2025年的500万片），逐渐完成从“代替进口”到“主导全球商场”的跃迁。

  国产SiC模块代替进口IGBT模块的中心逻辑在于技能功能的全面逾越、规模化出产带来的本钱优势，以及方针与商场需求的两层推进。客户痛点集中于进口IGBT的功率瓶颈、供应链危险和高体系本钱，而国产代替不只处理了这些痛点，还加快了电力电子工业的自主可控与全球竞赛力提高。未来，跟着根本股份等SiC功率模块技能进一步老练，其运用场景规模将从新能源轿车、光储体系扩展至工业电源、伺服驱动以及电网等范畴，推进全球半导体工业进入宽禁带年代。回来搜狐，检查更加多