元器件（晶体管范畴）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 依据其别离可支撑的开关速度，BIPOLAR适用于中速开关，MOSFET则适用于高频范畴。

  IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件，经过这两者的复合化，既是运用电子与空穴两种载体的双极元件，一起也是统筹低饱满电压（与功率MOSFET的低导通电阻适当）和较快的开关特性的晶体管。 虽然其具有较快的开关特性，但仍比不上功率MOSFET，这是IGBT的缺点。

  是指半导体元件的结构为Metal（金属）- Oxide（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。

  是指运用了双极性元件，将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流作业型晶体管。

  功率半导体分为以元件单位构成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由该根本部件组成的模块 (Module)。 IGBT也相同存在分立式元器件和模块之分，并别离有其合适的使用场景规模。 下图所示为以IGBT为主的功率半导体在开关（作业）频率与输出电容联系图中的使用规模。

  作为功率半导体的IGBT被使用于从车载用处到工业设备、消费电子等各种用处。从以电车及HEV/EV等高输出电容的三相电机操控逆变器用处，到UPS、工业设备电源等的升压操控用处、IH(电磁感应加热)家用炊具的共振用处等，其用处正在逐步扩展。 下图对IGBT的使用范畴进行了汇总。